2021-07-21
 
IGBT 包含 650V 碳化硅肖特基势垒二极管
2021年07月21日   阅读量:237

ROHM Semiconductor 发布了 RGWxx65C 系列混合 IGBT,集成了 650V SiC 肖特基势垒二极管。这些器件符合 AEC-Q101 汽车可靠性标准,非常适合 处理高功率的汽车和工业应用,例如光伏电源调节器、车载充电器以及电动和电动汽车 (xEV) 中使用的 DC/DC 转换器。

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RGWxx65C系列(RGW60TS65CHR、  RGW80TS65CHR、  RGW00TS65CHR)在IGBT反馈块中采用ROHM的低损耗SiC肖特基势垒二极管作为几乎没有恢复能量的续流二极管,因此二极管的开关损耗最小中国机械网okmao.com。此外,由于在开启模式下恢复电流不必由 IGBT 处理,因此显着降低了 IGBT 的开启损耗。当使用车载充电器时,这两种效应共同导致与传统 IGBT 相比损耗降低 67%,与超级结 MOSFET (SJ MOSFET) 相比损耗降低 24%。这种效果提供了良好的性价比,同时有助于降低汽车和工业应用中的功耗。

近年来,全球为减少环境负担和实现碳中和和脱碳社会所做的努力刺激了 xEV 的普及。与此同时,用于配置更高效系统所需的各种车辆逆变器和转换器电路中使用的功率半导体的多样化目前正在进行中,同时超低损耗 SiC 功率器件(即 SiC MOSFET、SiC SBD)的技术创新正在进行中。 ) 和传统的硅功率器件(例如,IGBT、超级结 MOSFET)。

为了为广泛的应用提供有效的电源解决方案,罗姆不仅专注于行业领先的 SiC 功率器件的产品和技术开发,还专注于硅产品和驱动器 IC。

除了这些新颖的混合 IGBT 之外,ROHM 还提供使用硅 FRD 作为续流二极管的产品,以及不带续流二极管的产品。


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