2022-05-12
 
2kV SiC MOSFET 具有低损耗、硬开关能力
2022年05月12日   阅读量:3153

对高功率密度的日益增长的需求正在推动开发人员在其应用中采用 1500 V 直流链路,以提高每个逆变器的额定功率并降低系统成本。然而,基于 1500 V DC 的系统也对系统设计提出了更多挑战,例如在高 DC 电压下快速切换,这通常需要多级拓扑。这导致复杂的设计和相对大量的组件中国机械网okmao.com。为应对这一挑战,英飞凌科技股份公司推出了具有高压解决方案的扩展CoolSiC产品组合,为下一代光伏、 电动汽车充电和 储能系统奠定了基础。

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扩展的 CoolSiC 产品组合提供 2 kV 碳化硅 (SiC) MOSFET,以及 2kV SiC 二极管,适用于高达 1500 V  DC的应用。新型 SiC MOSFET 将低开关损耗和高阻断电压结合在一个器件中,可以最佳地满足 1500 V  DC系统的要求。新的 2 kV CoolSiC 技术提供低漏源导通电阻 (R  DS(on) ) 值。此外,坚固的体二极管适用于硬开关。与 1700 V SiC MOSFET 相比,该技术可实现足够的过压裕量,并提供比 1700 V SiC MOSFET 低十倍的由宇宙射线引起的 FIT 率。此外,扩展的栅极电压工作范围使器件易于使用。


这种新型 SiC MOSFET 芯片基于英飞凌最近推出的名为 M1H 的先进 SiC MOSFET 技术。最新进展实现了显着更大的栅极电压窗口,从而提高了给定裸片尺寸的导通电阻。同时,更大的栅极电压窗口提供了针对栅极驱动器和布局相关电压峰值的高稳健性,即使在高开关频率下也没有任何限制。英飞凌提供一系列功能隔离高达 2.3 kV 的 EiceDRIVER 栅极驱动器,以支持 2 kV SiC MOSFET。


2 kV CoolSiC MOSFET 的样品现在以 EasyPACK 3B 和 62mm 模块形式提供,随后以新的高压分立 TO247-PLUS 封装形式提供。此外,英飞凌还提供具有 2.3 kV 隔离能力的 EiceDRIVER 的设计生态系统。计划于 2022 年第三季度开始生产 Easy 3B (DF4-19MR20W3M1HF_B11),这是一款具有 4 个升压电路的功率模块,用作 1500 V PV 串逆变器的 MPPT 级,62mm 模块采用半桥配置(3、4、6 mΩ)将在 2022 年第四季度推出。分立器件采用最新的获奖产品。XT 互连技术将于 2022 年底推出。


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